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Leistungshalbleiter. Cree: 1200-V-Schottky Diode-aus SiC im-D-Pak Gehuse 25.02.2011 Ralf von Higgelke P. 5 A einer bei Sperrspannung von 1200 V spezifiziert ist die-Schottky Diode C2D05120E aus Siliziumkarbid von Cree. Zudem ist sie im oberflchenmontierbaren D-Pak-Gehuse (A-252) untergebracht. Die gleiche wie die die Rendimiento Cree-Bausteine im A-220-fr Gehuse Einsteckmontage, allerdings mit kleinerem Leiterplatten-Huella und weniger Bauhhe, soll mueren de 1200 V-Schottky Diode-C2D05120E bieten. Dadurch lassen sich nach Aussage des Herstellers kompaktere, kostengnstigere und effizientere Mikro-Wechselrichter fr Photovoltaik-Anwendungen entwickeln, als es mit den greren Einsteck-Bauelementen mglich WRE. Así berichtet Cree, dass einige Kunden auf der Suche nach einem oberflchenmontierbaren Bauelement Waren, das mueren von SiC-Schottky-Dioden bietet Rendimiento Gewohnte: Wegfall jeglicher Sperrverzgerungsverluste (recuperación inversa), hochfrequenter Betrieb mit niedrigem EMI-Aufkommen und ein niedrigeres Temperaturniveau. Sie htten damit morir Mglichkeit, das Diseño Ihrer Leistungs-zu Wechselrichter vereinfachen, ohne Abstriche am hohen Systemwirkungsgrad machen zu mssen. Das sei der Grund fr den Umstieg auf das oberflchenmontierbare gewesen D-Pak-Gehuse. Die oberflchenmontierbaren SiC-Schottky-Dioden bentigen auf der Leiterplatte Eine Montageflche von ca. 6,6 mm x 9,9 mm bei einer Höhe von 2,3 mm. Der Sperrschichttemperaturbereich im Betrieb und der Lagertemperaturbereich sind mit 55 C hasta 175 C angegeben. Die sind Bauteile vollstndig fr den Produktionseinsatz qualifiziert und Freigegeben. Zum Thema Weitere Inhalte Destacados auf elektroniknet. de Entrevista Libro blanco Serie zu Moores Ley Marktbersichten
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